MODULO IGBT 50AMP . 600V / FUJI ELEC. / 6DI50A-060
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MODULO IGBT 5AMP . 600V / MITSUBISHI / PS21962-4C
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MODULO IGBT 600AMP . 1200V / SEMIKRON / SKM400GB124D

Módulo IGBT 1200V 600A / Semikron / SKM400GB124D

✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 600 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido incorporado
✅ Encapsulado industrial con aislamiento eléctrico
✅ Baja caída de tensión y pérdidas por conmutación
✅ Alta capacidad térmica y densidad de corriente
✅ Montaje directo en disipador
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción, sistemas de energía renovable y automatización pesada
✅ Código original Semikron: SKM400GB124D

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Características

Módulo IGBT 1200V 600A / Semikron / SKM400GB124D

✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 600 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido incorporado
✅ Encapsulado industrial con aislamiento eléctrico
✅ Baja caída de tensión y pérdidas por conmutación
✅ Alta capacidad térmica y densidad de corriente
✅ Montaje directo en disipador
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción, sistemas de energía renovable y automatización pesada
✅ Código original Semikron: SKM400GB124D

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Módulo IGBT 600V 100A/Infineon/FS100R06KE3

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Tecnología EconoPACK™
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Alta densidad de potencia
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Alta fiabilidad en aplicaciones industriales
✅ Ideal para inversores, servo drives y fuentes conmutadas
✅ Código original Infineon: FS100R06KE3

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Módulo IGBT 1200V 100A/Infineon/ FP100R12KE3

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Tecnología EconoPACK™ 2
✅ Alta eficiencia y densidad de potencia
✅ Baja pérdida de conmutación y conducción
✅ Encapsulado robusto y compacto
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Ideal para inversores, servo drives, UPS y energías renovables
✅ Código original Infineon: FP100R12KE3

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MODULO IGBT 1200V . 25AMP / SEMIKRON / SKIIP23NAB12T4V1

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Módulo IGBT 1200V 25A/Semikron/ SKIIP23NAB12T4V1

✅ Tipo: Módulo IGBT inteligente (IPM – SKiiP)
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 25 A
✅ Driver de compuerta y protección integrados
✅ Montaje a presión (spring contact) – sin soldaduras
✅ Alta fiabilidad térmica y eléctrica
✅ Compacto y de fácil integración en sistemas de potencia
✅ Ideal para aplicaciones como inversores, servo drives y automatización industrial
✅ Código original Semikron: SKIIP23NAB12T4V1

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MODULO IGBT 150AMP . 600V / MITSUBISHI / CM150RX1-12A

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Módulo IGBT 600V 150A | Mitsubishi | CM150RX1-12A

✅ Tipo: IGBT de potencia en encapsulado dual
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Diodo de rueda libre incorporado
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja pérdida por conducción y conmutación
✅ Encapsulado aislado para montaje en disipador
✅ Alta confiabilidad y durabilidad para uso industrial continuo
✅ Ideal para variadores de frecuencia, inversores, fuentes conmutadas y controladores de motor
✅ Código original Mitsubishi: CM150RX1-12A

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Módulo IGBT 1200V 225A / Infineon / FF225R12ME4

✅ Tipo: Módulo IGBT – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 225 A
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia en conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Excelente rendimiento térmico para operación continua
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, energías renovables y automatización industrial
✅ Alta confiabilidad en entornos exigentes
✅ Código original Infineon: FF225R12ME4

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Módulo IGBT 1600V 305A / Semikron / SKKT 330/16 E

✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 305 A
✅ Encapsulado aislado
✅ Montaje sobre disipador
✅ Configuración tiristor + diodo
✅ Alta capacidad de corriente
✅ Baja caída de tensión
✅ Uso industrial continuo
✅ Código: SKKT 330/16 E