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MODULO IGBT 100AMP . 600V / FUJI ELEC. / 7MBR100VP060-50
Módulo IGBT 600V 100A/Fuji Electric/7MBR100VP060-50
✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo inteligente
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Diseño compacto tipo MBI (Intelligent Power Module)
✅ Protección interna contra sobrecorriente y sobretemperatura
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Alta fiabilidad para ciclos de trabajo exigentes
✅ Ideal para servo drives, inversores y UPS
✅ Montaje en riel disipador estándar
✅ Código Fuji: 7MBR100VP060-50
MODULO IGBT 100AMP . 600V / FUJI ELEC. / 7MBR100VZ060-50
Módulo IGBT 600V 100A/Fuji Electric/7MBR100VZ060-50
✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo inteligente (IPM)
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Integración de protección contra sobrecorriente y sobretemperatura
✅ Diseño compacto para sistemas de alta densidad
✅ Alta eficiencia en conmutación
✅ Confiabilidad para operación industrial continua
✅ Ideal para inversores, servo control y UPS
✅ Montaje directo a disipador térmico
✅ Código original Fuji: 7MBR100VZ060-50
MODULO IGBT 100AMP . 600V / INFINEON / FS100R06KE3
Módulo IGBT 600V 100A/Infineon/FS100R06KE3
✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Tecnología EconoPACK™
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Alta densidad de potencia
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Alta fiabilidad en aplicaciones industriales
✅ Ideal para inversores, servo drives y fuentes conmutadas
✅ Código original Infineon: FS100R06KE3
MODULO IGBT 100AMP . 600V / IXYS / IXGN60N6O
MODULO IGBT 100AMP . 600V / IXYS / IXGN60N6O
✅ Tipo: IGBT de potencia discreto
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja caída de voltaje en conducción (V<sub>CE(sat)</sub>)
✅ Encapsulado TO-247 o módulo según variante
✅ Alta eficiencia energética
✅ Ideal para inversores, convertidores y fuentes SMPS
✅ Diseñado para aplicaciones de potencia media
✅ Código original IXYS: IXGN60N60
MODULO IGBT 100AMP . 600V / TOSHIBA / MG100J2YS1
Módulo IGBT 600V 100A/Toshiba/ MG100J2YS1
✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo dual
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Aislado eléctricamente con base de cobre
✅ Diseño robusto para entornos industriales exigentes
✅ Ideal para variadores, inversores y sistemas de potencia
✅ Fácil montaje sobre disipador térmico
✅ Código original Toshiba: MG100J2YS1
MODULO IGBT 100AMP.1200/INFINEON/FP100R12KE3
Módulo IGBT 1200V 100A/Infineon/ FP100R12KE3
✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Tecnología EconoPACK™ 2
✅ Alta eficiencia y densidad de potencia
✅ Baja pérdida de conmutación y conducción
✅ Encapsulado robusto y compacto
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Ideal para inversores, servo drives, UPS y energías renovables
✅ Código original Infineon: FP100R12KE3
MODULO IGBT 1110AMP . 1200V / SEMIKRON / SEMIX603GB12E4IP
Módulo IGBT 1200V 1110A/Semikron/ SEMIX603GB12E4IP
✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo SEMiX
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 1110 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop
✅ Configuración: 3 fases (6 IGBTs + 6 diodos)
✅ Baja caída de tensión y pérdidas por conmutación
✅ Alta capacidad de disipación térmica
✅ Encapsulado robusto para montaje con presión uniforme (PressFIT)
✅ Ideal para inversores de tracción, energías renovables y aplicaciones de alto rendimiento
✅ Código original Semikron: SEMIX603GB12E4IP
MODULO IGBT 1200V . 150AMP / INFINEON / BSM100GD120DN2
Módulo IGBT 1200V 150A/Infineon/ BSM100GD120DN2
✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Diodo antiparalelo incluido
✅ Baja caída de tensión (V<sub>CE(sat)</sub>)
✅ Alta eficiencia y capacidad de conmutación rápida
✅ Encapsulado industrial doble canal
✅ Diseñado para inversores, variadores de frecuencia y sistemas de energía
✅ Confiabilidad térmica y eléctrica en entornos exigentes
✅ Código original Infineon: BSM100GD120DN2
MODULO IGBT 1200V . 25AMP / SEMIKRON / SKIIP23NAB12T4V1
Módulo IGBT 1200V 25A/Semikron/ SKIIP23NAB12T4V1
✅ Tipo: Módulo IGBT inteligente (IPM – SKiiP)
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 25 A
✅ Driver de compuerta y protección integrados
✅ Montaje a presión (spring contact) – sin soldaduras
✅ Alta fiabilidad térmica y eléctrica
✅ Compacto y de fácil integración en sistemas de potencia
✅ Ideal para aplicaciones como inversores, servo drives y automatización industrial
✅ Código original Semikron: SKIIP23NAB12T4V1
MODULO IGBT 1200V . 300AMP / INFINEON / FS300R12KE3-S1
Módulo IGBT 1200V 300A / Infineon / FS300R12KE3-S1
✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 300 A
✅ Encapsulado: EconoDUAL™ 2
✅ Diodo antiparalelo incluido
✅ Alta densidad de potencia y eficiencia
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Diseñado para inversores, variadores y tracción eléctrica
✅ Montaje en riel disipador estándar
✅ Código original Infineon: FS300R12KE3-S1
MODULO IGBT 1200V . 35AMP / FUJI ELECTRIC / 7MBR35SD120
Módulo IGBT 1200V 35A / Fuji Electric / 7MBR35SD120
✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo inteligente
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 35 A
✅ Baja caída de voltaje (V<sub>CE(sat)</sub>)
✅ Diodo de rueda libre incorporado
✅ Alta eficiencia de conmutación
✅ Encapsulado compacto para disipador térmico
✅ Ideal para variadores, inversores, UPS y servo drives
✅ Aplicable en automatización industrial y electrónica de potencia
✅ Código original Fuji: 7MBR35SD120
MODULO IGBT 1200V . 35AMP / INFINEON / BSM25GD120DN2E3224
Módulo IGBT 1200V 35A / Infineon / BSM25GD120DN2E3224
✅ Tipo: Módulo IGBT dual
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 35 A
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Encapsulado compacto con aislamiento eléctrico
✅ Alta confiabilidad para operación continua
✅ Ideal para inversores, variadores, servo drives y fuentes conmutadas
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Código original Infineon: BSM25GD120DN2E3224
