Módulo IGBT 1600V 216A / IXYS / MCD200-16IO1

✅ Tipo: Módulo IGBT dual de potencia
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 216 A (DC)
✅ Diodos antiparalelo integrados
✅ Encapsulado industrial con aislamiento galvánico
✅ Baja caída de tensión V_CE(sat) y alta eficiencia
✅ Excelente rendimiento térmico y larga vida útil
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, variadores industriales y sistemas de energía
✅ Alta confiabilidad para entornos industriales exigentes
✅ Código original IXYS: MCD200-16IO1

Módulo IGBT 1200V 225A / Infineon / FF225R12ME4

✅ Tipo: Módulo IGBT – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 225 A
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia en conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Excelente rendimiento térmico para operación continua
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, energías renovables y automatización industrial
✅ Alta confiabilidad en entornos exigentes
✅ Código original Infineon: FF225R12ME4

Módulo IGBT 600V 25A / Fuji Electric / 7MBR25SA060-50

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia en encapsulado inteligente
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 25 A
✅ Diodos de rueda libre integrados
✅ Alta velocidad de conmutación y baja caída de tensión
✅ Encapsulado compacto con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia térmica y eléctrica
✅ Ideal para inversores, variadores de frecuencia, UPS y control de motores
✅ Larga vida útil en entornos industriales exigentes
✅ Código original Fuji: 7MBR25SA060-5

Módulo IGBT 1600V 27A / IXYS / MCC 26-16 IO1B

✅ Tipo: Módulo IGBT de potencia con encapsulado aislado
✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 27 A
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido integrado
✅ Baja caída de voltaje V_CE(sat)
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Excelente rendimiento térmico y fiabilidad operativa
✅ Encapsulado compacto y fácil montaje sobre disipador
✅ Ideal para inversores, convertidores, fuentes conmutadas y control de motores
✅ Código original IXYS: MCC 26-16 IO1B

Módulo IGBT 1600V 30A / Infineon / BSM30GP60

✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 30 A
✅ Encapsulado con aislamiento galvánico
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Baja caída de tensión V_CE(sat)
✅ Alta eficiencia térmica y eléctrica
✅ Montaje sobre disipador
✅ Aplicación industrial y de potencia media
✅ Código: BSM30GP60

✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 30 A
✅ Encapsulado EconoPACK™
✅ Diodo antiparalelo integrado
✅ Baja pérdida de conmutación
✅ Alta eficiencia térmica
✅ Montaje en disipador estándar
✅ Aplicación en inversores, variadores y UPS
✅ Código: FS30R06W1E3

Módulo IGBT 1200V 400A / Semikron / SKM300GAL123D

✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 400 A
✅ Encapsulado de alta potencia con aislamiento galvánico
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido integrado
✅ Baja caída de tensión V_CE(sat)
✅ Alta capacidad térmica y eficiencia energética
✅ Ideal para inversores industriales, tracción, energías renovables y control de motores
✅ Montaje en disipador estándar
✅ Alta confiabilidad para operación continua
✅ Código original Semikron: SKM300GAL123D

Módulo IGBT 1200V 400A / Semikron / SKM400GB12T4

✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 400 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido integrado
✅ Encapsulado industrial aislado
✅ Baja pérdida por conducción y conmutación
✅ Excelente rendimiento térmico
✅ Montaje directo en disipador
✅ Ideal para tracción eléctrica, inversores de potencia, energías renovables y automatización industrial
✅ Código original Semikron: SKM400GB12T4

Módulo IGBT 1200V 450A / Infineon / FF450R12KE4

✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 450 A
✅ Tecnología Trench/Field Stop (IGBT3)
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido integrado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta densidad de corriente y baja caída de tensión V_CE(sat)
✅ Excelente rendimiento térmico y eficiencia en conmutación
✅ Ideal para inversores de potencia, sistemas de tracción, energía renovable y automatización industrial
✅ Código original Infineon: FF450R12KE4

Módulo IGBT 1200V 45A / Semikron / SKIIP31NAB12T49

✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 45 A
✅ Tecnología SKiiP® (Intelligent Power Module)
✅ Driver integrado con protecciones internas
✅ Contacto por resorte (sin tornillos)
✅ Baja pérdida de conmutación y conducción
✅ Excelente disipación térmica
✅ Encapsulado compacto con aislamiento galvánico
✅ Ideal para inversores, servo drives y automatización industrial
✅ Código original Semikron: SKIIP31NAB12T49

Módulo IGBT 600V 50A / Fuji Electric / 6DI50A-060

✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 50 A
✅ Configuración: 6-pack (tres fases)
✅ Diodos de rueda libre integrados
✅ Encapsulado aislado para montaje en disipador
✅ Alta eficiencia de conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Diseño robusto y compacto
✅ Ideal para inversores trifásicos, servo drives y UPS industriales
✅ Código original Fuji Electric: 6DI50A-060

Módulo IGBT 600V 50A / Fuji Electric / 7MBR50VP060-50

✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 50 A
✅ Diodo antiparalelo ultrarrápido integrado
✅ Encapsulado inteligente tipo MBI (Intelligent Power Module)
✅ Baja caída de tensión V_CE(sat)
✅ Alta eficiencia de conmutación
✅ Montaje en disipador con aislamiento galvánico
✅ Ideal para inversores, servo drives, UPS y automatización industrial
✅ Código original Fuji Electric: 7MBR50VP060-50