MODULO IGBT 150AMP . 1200V / MITSUBISHI / CM150RX1-24A
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MODULO IGBT 150AMP . 1200V / MITSUBISHI ELEC. / CM150MXUDP-24T1
MODULO IGBT 150AMP . 1200V / MITSUBISHI ELEC. / CM150MXUDP-24T1
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MODULO IGBT 150AMP . 1200V / INFINEON / FS150R12KT4_B11

Módulo IGBT 1200V 150A / Infineon / FS150R12KT4_B11

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2
✅ Diodos antiparalelo integrados
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub> y excelente eficiencia de conmutación
✅ Alta capacidad térmica para operación continua
✅ Ideal para inversores industriales, tracción eléctrica, energías renovables y sistemas de automatización
✅ Alta confiabilidad en aplicaciones de potencia exigentes
✅ Código original Infineon: FS150R12KT4_B11

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Características

Módulo IGBT 1200V 150A / Infineon / FS150R12KT4_B11

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2
✅ Diodos antiparalelo integrados
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub> y excelente eficiencia de conmutación
✅ Alta capacidad térmica para operación continua
✅ Ideal para inversores industriales, tracción eléctrica, energías renovables y sistemas de automatización
✅ Alta confiabilidad en aplicaciones de potencia exigentes
✅ Código original Infineon: FS150R12KT4_B11

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✅ Tipo: IGBT inteligente con controlador integrado
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Tecnología SKiiP – alta fiabilidad térmica y eléctrica
✅ Controlador de disparo y protección incorporado
✅ Baja pérdida de conmutación
✅ Ideal para inversores, servo drives y automatización industrial
✅ Encapsulado robusto y compacto
✅ Fácil integración en sistemas de potencia
✅ Código original Semikron: SKIIP35NAB126V10

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Módulo IGBT 600V 100A/Toshiba/ MG100J2YS1

✅ Tipo: IGBT de potencia en módulo dual
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 100 A
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja pérdida de conducción y conmutación
✅ Aislado eléctricamente con base de cobre
✅ Diseño robusto para entornos industriales exigentes
✅ Ideal para variadores, inversores y sistemas de potencia
✅ Fácil montaje sobre disipador térmico
✅ Código original Toshiba: MG100J2YS1

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Módulo IGBT 600V 150A | Mitsubishi | CM150RX1-12A

✅ Tipo: IGBT de potencia en encapsulado dual
✅ Tensión máxima: 600 V
✅ Corriente nominal: 150 A
✅ Diodo de rueda libre incorporado
✅ Alta velocidad de conmutación
✅ Baja pérdida por conducción y conmutación
✅ Encapsulado aislado para montaje en disipador
✅ Alta confiabilidad y durabilidad para uso industrial continuo
✅ Ideal para variadores de frecuencia, inversores, fuentes conmutadas y controladores de motor
✅ Código original Mitsubishi: CM150RX1-12A

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Módulo IGBT 1200V 200A / Infineon / FF200R12KE3_B2

✅ Tipo: IGBT de potencia – Trench/Field Stop
✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 200 A
✅ Diodo antiparalelo incorporado
✅ Encapsulado EconoDUAL™ 2 con aislamiento galvánico
✅ Alta eficiencia de conmutación y baja pérdida por conducción
✅ Excelente gestión térmica para operación continua
✅ Ideal para inversores de potencia, tracción eléctrica, energías renovables y automatización industrial
✅ Alta confiabilidad para entornos exigentes
✅ Código original Infineon: FF200R12KE3_B2

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Módulo IGBT 1600V 305A / Semikron / SKKT 330/16 E

✅ Tensión máxima: 1600 V
✅ Corriente nominal: 305 A
✅ Encapsulado aislado
✅ Montaje sobre disipador
✅ Configuración tiristor + diodo
✅ Alta capacidad de corriente
✅ Baja caída de tensión
✅ Uso industrial continuo
✅ Código: SKKT 330/16 E

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✅ Tensión máxima: 1200 V
✅ Corriente nominal: 600 A
✅ Configuración: módulo dual (dos IGBT + diodos de rueda libre)
✅ Encapsulado industrial robusto con aislamiento galvánico
✅ Baja caída de tensión V<sub>CE(sat)</sub>
✅ Alta capacidad de disipación térmica
✅ Excelente rendimiento en conmutación y conducción
✅ Ideal para tracción eléctrica, inversores de gran potencia y sistemas industriales exigentes
✅ Código original Mitsubishi: CM600DXP-24T